在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。
1、光刻基本概念，包括工艺描述、CD划分、光谱、分辨率、工艺宽容度等；
2、负性和正性光刻的区别；
3、光刻的8个基本步骤；
4、如何在光刻前处理硅片表面；
5、描述光刻胶并讨论光刻胶的物理特性；
6、讨论传统I线胶的化学性质和应用；
7、深紫外光刻胶的化学性质和优点，包括化学放大光刻胶；
8、解释在硅片制造业中如何应用光刻胶；
9、讨论软烘的目的，并解释它如何在生产中完成。
