东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业

在超级结 MOSFET 市场规模相对有限的情况下,公司凭借卓越的设计能力进军 IGBT 市场。根据 Omdia 和我们的测算,2025 年全球 IGBT 市场规模为超级结 MOSFET 市场规模约 10 倍。

国内超级结 MOSFET 设计领军者,IGBT 拓宽长期成长空间

东微半导是国内领先的技术驱动型半导体设计公司,主营高压超级结和中低压屏蔽栅 MOSFET(21 年营收占比 72.7%/26.3%)的设计和销售,以及通 过独立知识产权 Tri-gate 器件结构的创新型 IGBT 拓宽长期成长空间。产品主打工业、汽车级应用,广泛应用于直流充电桩、工业及通信电源、新能源汽车、光伏逆变器等领域,下游客户包括华为、英飞源、比亚迪、麦格米特、维谛技术、视源股份等各领域头部企业。在技术、产品、供应链三大竞争力下,我们预计公司 22/23/24年归母净利润同比增长 72.71%/37.97%/30.14% 至 2.54/3.50/4.56 亿元,对应 EPS 3.77/5.20/6.76 元。基于 57.7x 23 年 PE(较 Wind 一致预期行业 23 年平均的 41.1x 溢价,基于公司较好的产品组合、高业绩成长性等优势),首次覆盖给予目标价 300 元和买入评级。

新能源领域超级结 MOSFET 市场快速增长,三大核心竞争力稳固龙头地位

受益于新能源汽车加速渗透,我们测算 2021-25 年全球充电桩、新能源汽车超级结 MOSFET 市场规模 CAGR 分别为 34.9%/30.8%,处于高速增长阶段。作为超级结 MOSFET 国产替代先锋,我们认为东微三大核心竞争优势将助力其把握超级结 MOSFET 中的高成长性细分领域,并不断稳固龙头地位:1)料号丰富,21 年底公司 MOSFET 料号数达 1,791 款。产品优值及性能比肩英飞凌,领先国内竞争对手;2)研发团队实力雄厚,21 年人均创收逾千万行业领先;3)受益于核心供应商华虹的 12 寸产能持续扩张,并积极开拓广州粤芯、DB Hitek 等供应商保障产能。

IGBT 市场空间广阔,TGBT 业务打造第二成长曲线

在超级结 MOSFET 市场规模相对有限的情况下,公司凭借卓越的设计能力进军 IGBT 市场。根据 Omdia 和我们的测算,2025 年全球 IGBT 市场规模为超级结 MOSFET 市场规模约 10 倍。公司第一代 650V 创新型 TGBT 芯片电流密度达国际主流第七代 IGBT 水平。TGBT 产品已于 21 年在光伏逆变器、储能、充电桩等领域获得客户批量应用,且有大量优质客户处于送测认证中。凭借出色的产品性能,我们认为 TGBT 业务将为公司打开长期成长空间,预计该业务营收占比将由 21 年的 0.7%快速提升至 24 年的 16.5%。

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