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东微半导研究报告:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板

东微半导研究报告:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板

高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新,持续丰富产品矩阵,目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅 MOSFET、超级硅 MOSFET、TGBT、SiC 器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域,以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增,公司营收持续快速增长,22 全年、23Q1 营收分别为 11.2 亿元、3.0 亿元,同增 43%、47%。盈利能力方面,受持
东微半导(688261)研究报告:结构创新缔造汽车工控领域功率之“芯”

东微半导(688261)研究报告:结构创新缔造汽车工控领域功率之“芯”

深耕MOSFET十余年,延伸布局IGBT和第三代半导体器件。公司产品包括高压超级结/中低压屏蔽栅/超级硅MOSFET及TGBT,覆盖0~1350V电压及0~300A电流;下游应用聚焦在工业级和消费级领域,2016年自研的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片量产,打破国际垄断;同时公司积累了全球知名的品牌客户群如英飞源、客户A、高斯宝及视源股份等。具备从专利到量产的完整经验,高性能功率半导体设计的技术不可替代性极强。公司的高压超级结MOSFET相比普通硅基MOSFET在性能及电压等方面技术优势明显
东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业

东微半导(688261)研究报告:高端功率器件领先设计企业

国内超级结 MOSFET 设计领军者,IGBT 拓宽长期成长空间东微半导是国内领先的技术驱动型半导体设计公司,主营高压超级结和中低压屏蔽栅 MOSFET(21 年营收占比 72.7%/26.3%)的设计和销售,以及通 过独立知识产权 Tri-gate 器件结构的创新型 IGBT 拓宽长期成长空间。产品主打工业、汽车级应用,广泛应用于直流充电桩、工业及通信电源、新能源汽车、光伏逆变器等领域,下游客户包括华为、英飞源、比亚迪、麦格米特、维谛技术、视源股份等各领域头部企业。在技术、产品、供应链三大竞争
东微半导(688261)研究报告:国内中高压功率器件破局者,看好公司工业领域及车规级产品持续渗透

东微半导(688261)研究报告:国内中高压功率器件破局者,看好公司工业领域及车规级产品持续渗透

国内功率半导体器件龙头企业,产品技术领先,品类齐全。东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的企业,核心产品包括:高压超级结 MOSFET,中低压屏蔽栅 MOSFET,Tri-gate IGBT,应用下游行业主要为工业及汽车相关等中大功率应用领域。根据Omdia 数据,国内功率 MOSFET 市场约 30 亿美元,市场份额前 10的公司国内厂商份额占比仅为 12%,而海外龙头企业英飞凌及安森美市占率合计约 45%,国产厂商具备较大替代市场空间。公司主要产品已具备国内或海外领先技术水平,是少数
东微半导(688261)研究报告:高压超级结MOS龙头,发力IGBT打开成长空间

东微半导(688261)研究报告:高压超级结MOS龙头,发力IGBT打开成长空间

公司主要产品包括 GreenMOS 系列高压超级结 MOSFET、SFGMOS 和FSMOS 系列中低压屏蔽栅 MOSFET、以及 TGBT 系列 IGBT 产品,应用领域包括以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G 基站电源及通信电源、储能和光伏逆变器、UPS 电源和工业照明电源为代表的工业级领域,以及以PC 电源、适配器、TV 电源板、手机快速充电器为代表的消费电子领域。功率半导体产业结构性缺货,作为超级结 MOSFET 龙头,公司产品供不应求。超级结 MOSFET 作为中大功率段高性能电能
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