碳化硅行业专题报告：高压快充趋势及产业链降本，加速碳化硅产业进展

碳化硅物理性能优势明显，适应高温、高压、高频的应用场景。

碳化硅物理性能优势明显，适应高温、高压、高频的应用场景。碳化硅作为第三代半导体，禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。衬底根据电学性能不同分为半绝缘型和半导电型，分别应用到不同的应用场景上。