先进封装技术趋势在于提高 I/O 数量及传输速率，以实现芯片间的高速互联，市场格局呈现出明显的马太效应，Fab/IDM 厂和 OSAT 错位竞争。
先进封装技术趋势在于提高 I/O 数量及传输速率，以实现芯片间的高速互联，市场格局呈现出明显的马太效应，Fab/IDM 厂和 OSAT 错位竞争。2016年先进封装市场 CR5 占比 48%，2021 年提升至 76%，强者恒强。Fab/IDM 厂和 OSAT 厂各自发挥自身优势，Fab/IDM 厂凭借前道制造优势和硅加工经验，主攻 2.5D 或 3D 封装技术，而 OSAT 厂商则聚焦于后道技术，倒装封装仍是其主要产品。封测技术主要指标为凸点间距（Bump Pitch），凸点间距越小，封装集成度越高，难度越大，台积电 3D Fabric 技术平台下的 3D SoIC、InFO、CoWoS 均居于前列，其中 3D SoIC 的凸点间距最小可达 6um，居于所有封装技术首位。
