碳化硅行业专题研究报告：SiC材料特性优异，新能源汽车、光伏驱动行业成长

SiC 电气特性优越，有望成为最具前景的半导体材料之一。

SiC 电气特性优越，有望成为最具前景的半导体材料之一。半导体材料位于半导体产业链最上游，属于芯片制造与封测的支撑性产业，是半导体产业链中细分领域最多的环节。近年来，全球半导体材料市场规模稳健增长，而从被研究和规模化应用的先后顺序看，半导体材料发展至今已经历了三个阶段。其中，以 SiC 为代表的第三代半导体，具备耐高压、耐高温和低能量损耗等优越性能，可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求，有望成为半导体材料领域最具前景的材料之一。

碳化硅下游应用广泛，新能源汽车、光伏等驱动行业成长。SiC 产业链包括上游 SiC 衬底材料的制备、中游外延层生长、器件制造以及下游应用市场。从下游应用看，SiC 衬底可分为半绝缘性衬底和导电性衬底，其中半绝缘 SiC衬底主要用于制作微波射频器件，用于 5G 通讯、雷达等高频需求领域，导电型衬底则用于制作功率器件，用于新能源汽车、光伏发电等高压需求领域。近年来，SiC 功率器件在下游应用中崭露头角，应用范围已从传统的消费电子、工业控制、电力传输、计算机、轨道交通等领域，扩展至新能源汽车、风光储、物联网、云计算和大数据等新兴应用领域，其中新能源汽车、光伏等领域的快速发展给 SiC 带来增量需求，驱动碳化硅行业不断成长。据 Yole预测，到 2025 年，全球 SiC 市场规模将达到 25.60 亿美元，2019-2025 年复合增速高达 29.53%。

政策支持+成本下降，碳化硅国产替代有望加速。近年来，国家陆续出台政策鼓励 SiC 行业发展与创新，叠加 SiC 衬底向大尺寸演进，有效提升材料使用率，以及晶棒、衬底良率持续提升，未来碳化硅器件的生产成本有望持续下降，预计在高电压场景中将先具备替代优势。目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势，国内企业仍在起步阶段，技术不断追赶同时产能尚在爬坡，随着国内企业产品得到验证进程加速，下游厂商认可程度不断提升，海外企业与国内企业差距相对缩小，国产替代具备广阔的市场空间。